【投资机会】 拓荆科技(688072):薄膜沉积受益于存储扩产 三维集成打...
拓荆科技为国内薄膜沉积设备龙头,已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备矩阵,并向混合键合等三维集成设备延伸。公司PECVD 基本盘持续放量,ALD、沟槽填充CVD 及混合键合等设备加速突破,当前在手订单旺盛、新品验证顺利,有望受益于国内存储及逻辑扩产大周期。
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调整至“强烈推荐“投资评级。
薄膜沉积为前道制造核心环节,先进制程与存储升级持续打开市场空间。SEMI预计全球半导体设市场空间持续正增长至2029 年,2025 年全球半导体制造设备总销售额达1351 亿美元,其中前道设备占比约86%,2029 年有望攀升至1720 亿美元。2025 年中国大陆半导体设备销售额达到493 亿美元,占全球半导体制造设备销售额约36.51%。薄膜沉积设备是前道芯片制造与先进封装的核心装备之一,是实现集成电路先进逻辑及3D NAND、DRAM/HBM 等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备市场规模约占前道制造设备市场的22%,2025 年全球薄膜沉积设备市场规模约为255 亿美元,中国大陆薄膜沉积设备市场规模约93 亿美元。分设备类型看,PECVD 是薄膜设备中占比最高的设备类型,约占整体薄膜沉积设备市场的33%,溅射PVD 设备占比19%,ALD 设备占比约为11%,其他薄膜沉积设备包括SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等。从产业技术看,全球逻辑制程逐步向更前沿及3D 堆叠进展,对薄膜沉积设备如PECVD 及ALD 等用量会显著增长。
公司薄膜沉积产品矩阵完善,PECVD 基本盘放量,ALD 及沟槽填充设备加速突破。1)PECVD 设备:2025 年实现营收约51.42 亿元,同比增长75.3%。
PECVD 是芯片制造中应用最广泛的薄膜沉积设备之一,主要用于逻辑、存储、功率器件、Micro-OLED 及硅光等领域,覆盖通用介质薄膜和先进介质薄膜沉积。截至2025 年PECVD 设备已实现3,400 个反应腔的累计出货,其中400余个为新型高产能平台pX 和Supra-D,适配先进制程需求。2)ALD 设备:
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2025 年实现营收约3.01 亿元,同比增长191.82%。ALD 设备适用于高深宽比、极窄沟槽等复杂结构,可实现优异台阶覆盖率及精确膜厚控制。研发和客户验证方面,PE-ALD SiO2、SiN、SiCO 等多款设备量产规模快速提升,Thermal-ALD 首台TiN 工艺产品通过客户验证。3)HDPCVD、SACVD、Flowable CVD 等沟槽填充设备:主要面向不同深宽比结构的填充工艺,其中SACVD 主要用于深宽比小于7:1 的沟槽填充,HDPCVD 主要用于深宽比小于5:1 的沟槽填充,Flowable CVD 主要用于深宽比大于7:1 的沟槽填充,可支持浅槽隔离、金属前介质层等关键工艺环节。客户端数据显示,设备平均运行稳定性超90%,累计流片量突破4.57 亿片,2025 年单年流片量达2.1亿片,验证了其技术成熟度与市场认可度。
先进封装向三维堆叠演进,混合键合设备需求持续提升。随着先进逻辑、HBM、Chiplet 和三维堆叠等技术持续推进,芯片制造逐步从单纯依赖制程微缩,转向通过先进封装和三维集成提升系统性能。三维集成可实现芯片高密度互连、垂直堆叠及系统级集成,其中先进键合设备主要承担晶圆或芯片的等离子活化、清洗、对准、键合和量测等工艺,是实现高精度堆叠和提升芯片间通信带宽的关键设备,近期华为韬定律以时间缩微替代几何微缩或加速产业趋势 进展。根据Yole 统计,全球2.5D/3D 先进封装市场规模预计2029 年达280亿美元,带动混合键合、熔融键合及配套量检测设备需求提升。2027 年全球D2W/W2W 市场规模预计分别攀升至2.3 亿/5.1 亿美元。
公司三维集成设备验证和量产进展顺利,有望形成第二成长曲线。2025 年公司混合键合业务实现收入1.36 亿元,同比增长41.9%。该设备主要面向三维集成和先进封装场景,通过晶圆或芯片的等离子活化、清洗、对准、键合、量测等工艺,实现垂直堆叠和高密度互连,适用于先进存储、CIS、HBM、Chiplet 等方向。订单与客户验证方面,晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单并实现量产,同时拓展至不同客户并通过验证;新一代高速高精度W2W 混合键合产品已发货至客户端验证,产能、键合精度等关键指标大幅提升;首台W2W 熔融键合设备通过客户验证。随着HBM、Chiplet 和三维堆叠需求增长,公司三维集成设备有望成为薄膜沉积之外的重要增量方向。
产业链投资与自建产能双向发力,持续强化供应链自主可控与交付能力。公司拟通过定增方式募资不超过46 亿元,分别投向高端半导体设备产业化基地建设、前沿技术研发中心及补充流动性。产能建设方面,公司沈阳产业化基地(沈阳二厂)已开始施工建设,匹配下游旺盛的设备需求及百亿在手订单交付压力,持续巩固公司国产设备龙头核心壁垒。研发投入方面,公司拟重点开展PE-ALD 和Thermal-ALD 系列研发与迭代升级,同时对多种先进介质薄膜、先进硬掩模等PECVD 研发与迭代升级,对沟槽填充CVD 系列产品及工艺研发与优化。产业链布局方面,2026 年5 月公司参股设立辽宁聚芯,出资2000 万元持股20%为第一大股东,聚焦半导体装备核心零部件研发与产业化,有望提升核心零部件配套能力,降低供应链外部依赖。
投资建议。国内存储扩产趋势明确,两存产能爬坡带动薄膜沉积设备需求。长江存储的3D NAND 技术持续迭代,Xtacking 4.0 架构已推进至270 层量产堆叠,三期预计2026 年下半年投产并新增产能,12 英寸总产有望持续增长并于2030 年产能规模成为全球第一。长鑫存储DDR5/LPDDR5 产品已规模化量产,合肥一期、二期、北京产线预计2026 年基本达产,同时上海临港新厂规划推进,12 英寸总产能预计持续增长。随着3D NAND堆叠层数提升、DRAM向更先进架构迭代,存储制造对PECVD、ALD 及沟槽填充设备的需求将持续提升,拓荆科技有望持续受益于国内存储扩产和工艺升级,同时混合键合有望陆续通过客户验证并逐渐起量。我们上修2026-2028 年营收至88.77/127.01/176.78 亿元,上修归母净利润至17.06/25.77/38.25 亿元,对应PE 为98.7/65.4/44.1 倍,调整至“强烈推荐”投资评级。
风险提示:晶圆厂扩产不及预期,订单不及预期,新品研发不及预期风险。
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投资语录:"不要把所有鸡蛋放在同一个篮子里。"
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投资语录:"市场短期是投票机,长期是称重机。"
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精准的止损策略:我们为每一笔投资设定科学的止损位,严格执行止损纪律,确保亏损在可控范围内。
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